BCR 112T E6327

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BCR 112T E6327 datasheet

• Маркировка
  BCR 112T E6327
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies BCR 112T E6327 Current - Collector (ic) (max): 100mA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 140MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75-3 Power - Max: 250mW Resistor - Base (r1) (ohms): 4.7K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 4.7K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500?µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V Other Names: BCR112TE6327XT, SP000014126
• Количество страниц
  9 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BCR 112T E6327.pdf
Файл формата Pdf 205,20 KB